0603サイズでHighQタイプの高周波積層チップインダクタの開発に成功!

 
平成18年9月25日
FDK株式会社
 

高周波積層チップインダクタ[AML0603E]
 
 FDK株式会社(社長:杉本俊春)は、携帯電話などの高周波回路の信号系部品として、世界最高レベルのQ値*特性を持つ高周波積層チップインダクタ[AML0603Eシリーズ]を開発いたしました。本シリーズは、0603サイズとして従来品に比べ高周波帯域におけるエネルギー損失を20~30%低減させたHighQタイプの高周波積層チップインダクタです。

 近年、携帯電話は、利便性の追求から高機能化、小型化が急進しています。通話、データ送受信などの基本機能に加え、デジタルTVチューナ、GPSモジュールなどの多くの機能が付加されています。それに伴い携帯電話の個々のモジュールの小型化、モジュールに使用されるチップ部品には高性能化が要求されており、さらに、これらに使用されるインダクタ部品についても小型化とエネルギー損失の低減が要求されています。

 当社は、これらのニーズに応えるため、業界に先がけて0603サイズを開発・提供してまいりましたが、CAE(コンピュータ利用による設計開発システム)によるシミュレーション設計技術、ファインセラミックス材料、積層プロセス技術などの活用により、直流抵抗の上昇を可能な限り抑えながら、Q値特性を向上させた[AML0603Eシリーズ]を開発しました。本シリーズをPAモジュールのRF回路等で使用することにより、従来の0603タイプを使用した場合と比べ、パワーアンプの効率が向上し、消費電力の低下等の特性改善が図れます。

 本シリーズは、さまざまなバリエーションに対応するため、インダクタンス値が高周波回路で多く用いられる2.0nH~12nHの範囲で、20機種ラインアップしました。携帯電話を始めとする無線通信市場に向けて、2006年末より量産を開始する計画です。なお、本シリーズは、10月3日から7日まで幕張メッセで開催されるCEATEC JAPAN 2006に出展いたします。

*Q値とは
 インダクタの特性を表す係数のひとつ。Q値が高いほど、損失が小さく高効率なインダクタとされる。高周波デバイスにインダクタを組み込んだ場合においては、消費電力の低下に効果がある。
 
<AML0603シリーズ仕様比較>

参考例:インダクタンスが12nHの場合の仕様比較
品番 AML0603E12NJT AML0603Q12NJT(従来品)
各タイプの特徴 HighQタイプ 低直流抵抗タイプ
サイズ(mm) 0.6 x 0.3 x 0.3 0.6 x 0.3 x 0.3
Q値(1GHz時)Typ. 26 20
インダクタンス(nH) 12 12
自己共振周波数(GHz)Typ. 4.3 3.8
直流抵抗値(Ω)Typ. 0.48 0.43
定格電流(mA) 100 100
 
(ご参考)
比較図1 比較図1
 
(本件へのお問い合わせ) FDK株式会社 広報・IR室
TEL:03-5715-7402
 

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